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実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について

外付けバック・トゥ・バックMOSFETに対応したTCK42xGシリーズ.

実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について

当社は、ウエアラブル端末などの携帯機器向けに、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧をコントロールする、過電圧防止機能を持ったMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」に5品種のラインアップを追加しました。

すでに発売済の20V電源ライン用「TCK421G」に加え、24V電源ライン用「TCK420G」、12V電源ライン用「TCK422G」および「TCK423G」、9V電源ライン用「TCK424G」、5V電源ライン用「TCK425G」の販売を本日より開始します。


実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について
図1:ロードスイッチ回路の例 (シングルハイサイド、バック・トゥ・バック)


実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について
図2:パワーマルチプレクサー回路の例

TCK42xGシリーズは、新製品のラインアップ追加により、ゲート・ソース間電圧を10Vと5.6Vの2種類から選択可能となり、より多くのMOSFETに対応できるようになりました。また、入力過電圧保護機能の検出電圧が異なる製品のラインアップにより5Vの電源ラインから24Vの電源ラインに使用できます。外付けバック・トゥ・バックMOSFETと組み合わせて、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路 (図1) やパワーマルチプレクサー回路 (図2)を構成するのに適しています。2.7Vから28Vの幅広い入力電圧に応じたチャージポンプ回路を内蔵し、間欠動作で外付けバック・トゥ・バックMOSFETのゲート・ソース間に安定電圧を供給します。これにより、大きな電流のスイッチングが可能です。


実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について
図3:パワーマルチプレクサー回路の基板例

パッケージは、業界最小クラス[注1]のWCSP6G[注2]を採用し、ウエアラブル端末、スマートフォンなどの小型機器に高密度実装が可能で、実装面積の削減に貢献します。

なお、TCK42xGの機能を活用した“パワーマルチプレクサー回路のリファレンスデザイン”の公開を本日より開始しました。

[注1] MOSFETゲートドライバーICにおいて。2022年6月現在、当社調べ。
[注2] 1.2mm × 0.8mmのチップスケールパッケージ

応用機器
ウエアラブル端末
スマートフォン
ノートブックPC、タブレットデバイス
ストレージ機器など

新製品の主な特長
チャージポンプ回路を内蔵し入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定 (5.6V、10V)
過電圧保護は5V~24Vに対応
低入力オフ電流 : IQ(OFF)=0.5μA (max) @VIN=5V

新製品の主な仕様 
(特に指定のない限り、Ta=25°C)

実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について


実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品5品種発売について

[注3] 先行リリース製品

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TCK420G
TCK421G
TCK422G
TCK423G
TCK424G
TCK425G

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