ルネサス、次世代AIデータセンター向け800V DC電源アーキテクチャを実現
ルネサスのGaNベースコンバータは最大98％の効率を達成し、48V〜800VのDC構成でAIデータセンターの電力需要拡大に対応。
www.renesas.com
ルネサス エレクトロニクス株式会社（以下ルネサス）は、NVIDIAが発表（英語）した800V直流電源アーキテクチャに対応し、高効率な電力変換と電力供給を支えることで、よりスマートで高速な次世代AIインフラの実現に貢献することを発表しました。
GPUによるAI処理の需要が急速に拡大し、データセンターの消費電力が数百メガワット級に達する中、最新のデータセンターには、高いエネルギー変換効率と拡張性を兼ね備えた電力供給アーキテクチャの採用が不可欠です。そこで、GaN（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ半導体は、高速スイッチング、低損失、優れた熱特性により急速に普及しつつあります。GaNパワーデバイスを用いることで、ラック内に800Vの直流バスを構築でき、配電による電力損失を低減し、大電力配電バー（高電流を安全に伝送するための金属部品）の必要性を大幅に削減します。同時に、DC/DC降圧コンバータを介して既存の48V用電源部品の継続利用も可能です。
ルネサスのGaN電源ソリューションは、48Vから400Vまでの幅広い動作電圧に対応し、複数個使用することで最大800Vまでのスタック構成も可能です。これにより、高効率かつ高電力密度のDC/DC変換を実現する最適なソリューションとなります。LLC直流トランス（LLC DCX）トポロジに基づくDC/DCコンバータは、最大98％の変換効率を実現します。AC/DCフロントエンドでは、ルネサスは双方向GaNスイッチを提供することで、整流回路設計の簡素化と電力密度の向上を実現します。さらに、ルネサスのMOSFET、ドライバ、コントローラを組み合わせることで、新規DC/DCコンバータ設計のBOM（部品表）をより強力かつ高性能なものにします。詳しくは、こちらをご覧ください。renesas.com/power
ルネサスの執行役員 兼 パワー担当ジェネラルマネージャーのZaher Baidasは、次のように述べています。「AIはかつてないスピードで産業を変革しており、その爆発的な電力需要に応えるためには、電源インフラも急速に進化しなければなりません。ルネサスは、高性能なGaN FETだけでなく、MOSFET、コントローラ、ドライバといった幅広い製品群により、高密度かつスケーラブルなエネルギーソリューションを提供し、AIの未来を支えています。これらのイノベーションにより、将来の成長に欠かせない拡張性とともに、卓越した性能と効率をお客様にお届けします。」
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