www.engineering-japan.com

モジュール型加速計算クラスタ向け高電圧直流給電半導体トポロジー

Infineonの電源管理システムを統合したオープンリファレンスアーキテクチャにより、人工知能インフラの電力密度向上と変換損失低減を実現。

  www.infineon.com
モジュール型加速計算クラスタ向け高電圧直流給電半導体トポロジー

インフィニオン テクノロジーズによるNVIDIA MGXエコシステムへの参画は、次世代アクセラレーテッドコンピューティングにおける給電ボトルネックの解消を目的としています。この技術協業は、グリッドからプロセッサコアに至る電力変換フロー全体を最適化し、エージェントAIの普及に伴い急増する計算負荷と熱設計電力の制約に対応する高効率半導体ソリューションを展開するものです。

従来のデータセンターに導入されている低電圧交流配線方式は、グラフィックスプロセッサ(GPU)クラスタの演算能力増大に伴い、ラックあたり1 MWを超える消費電力の壁に直面しています。従来の12 Vや48 Vの中間バス電圧では、大電流化によるオーム損失(I^2R損)が指数関数的に増加するため、バスバーの肥大化や冷却システムの飽和を招き、システムの拡張性を著しく阻害していました。

この物理的限界を打破するため、インフィニオンの電源管理ソリューションは800 VDC高電圧直流給電アーキテクチャを全面採用しています。電圧を800 Vに昇圧して配線することで、同一電力に対する電流値を大幅に削減し、配線損失の抑制とラック内部の電力密度向上を同時に達成します。本アーキテクチャでは、複数の主要半導体材料(Si、SiC、GaN)の特性を電力変換の各段に最適配置するマルチサブストレートアプローチを導入しています。
  • 窒化ガリウム(GaN)技術:約1 MHzの超高周波スイッチング駆動を可能にすることで、電力変換効率を維持しながらバスコンバータの超小型化を実現。
  • 炭化ケイ素(SiC)JFET技術:独自の専用制御ICと組み合わせることで、800 VDCサーバーボードの一次側保護機能および通電状態での回路挿抜を行うホットスワップ機能を担保。
  • 多段ステップダウン変換:800 Vから50 V、12 V、さらに6 Vまで効率的に降圧し、変換段数を最小化してコンピューティングコアの直近でDC給電を実施。
このモジュール型給電設計により、既存のインフラ環境を完全に刷新することなく、部分的なハイブリッドアーキテクチャへの移行による高密度展開が可能となります。電力変換効率の向上は、運用コストの削減だけでなく、システム全体のインフラ簡素化と熱管理の最適化に寄与します。

追加コンテキスト
このセクションでは、製品発表当初には含まれていなかった詳細な技術仕様および競合ベンチマークについて記述します。

高密度加速計算サーバーラック向けの電源開発において、高電圧直流変換の動的応答性能と変換効率の維持は市場の主要な競争軸となっています。本領域におけるインフィニオンの主な競合企業としては、オンセミ(onsemi)およびSTマイクロエレクトロニクス(STMicroelectronics)が挙げられます。

オンセミがNVIDIA MGX向けに展開する電源ツリーは、主にシリコンカーバイド(SiC)を用いた高電圧トランジスタと低圧側の多相バックレギュレータのパッケージ化に強みを持っています。一方、STマイクロエレクトロニクスは産業用機器やカスタム仕様のハイパースケール電源ユニットに特化したSTPOWERポートフォリオを展開しています。

これら競合のディスクリート製品群に対し、インフィニオンのMGXリファレンスアーキテクチャは、自社の強みである1 MHz帯駆動のGaNコンバータとSiC JFET保護回路を完全同期させる統合システムとして設計されています。この密接なトポロジー連携により、並列計算処理の急激なスパイク負荷(ステップロード)発生時においても中間バスの電圧降下を最小限に抑え、競合製品よりも1段少ないコンバージョンステージでの安定給電を実証しています。

Natania Lyngdoh(Induportals編集者)による編集。AI支援を使用。

www.infineon.com

  さらに詳しく…

LinkedIn
Pinterest

フォロー(IMP 155 000フォロワー)