Microchip、衛星通信端末向け高直線性KaバンドMMICでGaN RFポートフォリオを強化

衛星通信システムは、動画と広帯域データの転送に必要な高データレートを達成するために複雑な変調方式を使っています。このためには、高いRF送信出力を実装する事と、信号品質を維持する事が必要です。

Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 吉田洋介 以下Microchip社）は本日、そのような要件への適合を容易にするGMICP2731-10 GaN MMIC（http://www.microchip.com/wwwproducts/en/GMICP2731-10-POWER-AMPLIFIER）パワーアンプを発表しました。

本デバイスはMicrochip社として初めてのGaN （窒化ガリウム） MMIC （モノリシック マイクロ波IC）であり、民間および防衛向け衛星通信、5Gネットワーク、その他の航空宇宙および防衛システム用に設計されたものです。

GMICP2731-10はGaN-on-SiC（シリコン カーバイド）技術を使って製造されています。本製品は27.5～31 GHzの3.5 GHz帯域幅で最大10 Wの飽和RF送信出力を提供します。電力付加効率は20%、小信号ゲインは22 dB、反射損失は15 dBです。平衡アーキテクチャを採用したGMICP2731-10は50 Ωで整合を取る事ができ、出力にDCブロック コンデンサを内蔵しており組み込みが容易です。

「通信システムが128-QAM等の複雑な変調方式を採用する一方でSSPA（半導体パワーアンプ）の出力が上昇傾向にあるため、RFパワーアンプの設計者は出力アップと同時に重量と消費電力を低減しなくてはいけないという困難な課題に直面しています」とMicrochip社ディスクリート製品部門副社長のLeon Grossは述べています。「GaN MMICを高出力SSPAで使うと、GaAsに比べて30%超の消費電力と重量を低減できます。これは衛星システムメーカーにとって大きな利点です。本製品はGaNの特性を生かした高性能を達成しており、システムメーカーが求めているサイズ、重量、消費電力、コストを実現します。」

Microchip社のGMICP2731-10は、同社のGaAs MMIC RFパワーアンプ、スイッチ、低ノイズアンプ、Wi-Fiフロントエンド モジュール、GaN-on-SiC HEMT （高電子移動度トランジスタ） ドライバ、レーダーシステム向け終段アンプ トランジスタのポートフォリオを補完するものです。

開発ツール

Microchip社と正規代理店は、設計を支援するため基板設計サポートを提供しています。Microchip社はGMICP2731-10のコンパクトな等価モデルも提供しています。これにより、既存システム内でパワーアンプの性能を簡単にモデル化し、設計を迅速化できます。

在庫/供給状況

GMICP2731-10は本日より受注を開始いたします。詳細はMicrochip社または正規代理店にお問い合わせ頂くか、Microchip社ウェブサイトをご覧ください。GMICP2731-10をご購入頂くには、Microchip社オンラインストア（https://www.microchipdirect.com/product/search/all/GMICP2731-10）にアクセスするか、Microchip社の正規代理店にお問い合わせください。

www.microchip.com

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