実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品発売について
外部NチャネルMOSFETのバック・トゥ・バック接続に対応したTCK42xGシリーズ。
当社は、ウエアラブル端末など向けに、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧をコントロールする、過電圧防止機能を持ったMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」の販売を開始します。シリーズ第一弾として20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を本日から開始します。
新製品TCK421Gは、バック・トゥ・バック接続の外付けNチャネルMOSFETと組み合わせて、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサー回路を構成するのに適しています。また、2.7Vから28Vの幅広い入力電圧に応じたチャージポンプ回路を内蔵し、間欠動作で外付けMOSFETのゲート・ソース間に安定電圧を供給します。これにより、大きな電流のスイッチングが可能です。
パッケージは、業界最小クラス[注1]のWCSP6G[注2]を採用し、ウエアラブル端末、スマートフォンなどの小型機器に高密度実装が可能で、実装面積の削減に貢献します。
当社は今後もTCK42xGシリーズの開発を継続し、全6品種をシリーズに投入する予定です。TCK42xGシリーズでは、過電圧保護5Vから24Vの入力電圧に対応する予定です。ゲート出力電圧は外付けMOSFEETのゲート・ソース間電圧に応じて5.6Vと10Vの2種類を用意します。応用機器に合わせて過電圧保護機能、ゲート出力電圧の選択が可能になります。
[注1] MOSFETゲートドライバーICにおいて。2022年2月現在、当社調べ。
[注2] 1.2mm x 0.8mmのチップスケールパッケージ
応用機器
- ウエアラブル端末
- スマートフォン
- ノートブックPC、タブレットデバイス
- ストレージ機器など
新シリーズの主な特長
- チャージポンプ回路を内蔵し入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定(5.6V、10V)
- 過電圧保護は5V～24Vに対応
- 低入力オフ電流 : IQ(OFF)= 0.5μA (max) @VIN=5V、Ta= －40～85°C
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
[注３] コントロール端子電流 (ICT) は含まれていません。
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