本施設では、シリコンカーバイド（SiC）の生産能力が前年比5倍に増加し、オンセミの顧客の 重要な部品の供給確保に貢献

インテリジェント・パワーおよびセンシング技術のリーダーであるオンセミは、米ニューハンプシャー州ハドソンにあるシリコンカーバイド（SiC）施設の落成を祝い、テープカット式典を開催したと発表しました。

この施設では、2022年末までにSiCブールの生産能力を前年比5倍に拡大し、ハドソンに勤務する従業員数をほぼ4倍に増やす予定です。オンセミはこの拡張により、SiC粉末とグラファイト原料の調達から、完全にパッケージ化されたSiCデバイスの納入まで、SiC製造サプライチェーンを完全にコントロールすることができ、オンセミはSiCベースのソリューションに対する需要の急増に対応するために必要な、供給保証を顧客に提供することができます。SiCは、電気自動車（EV）、EV充電、エネルギー基盤の効率化を実現するために不可欠であり、脱炭素化への道筋に重要な貢献をもたらします。SiCの市場規模は、2021年の20億ドルから2026年には65億ドルに、年平均成長率33%で拡大すると予測されています。

オンセミで、エグゼクティブ・バイス・プレジデント兼パワー・ソリューションズ・グループのジェネラル・マネージャーを務めるサイモン・キートンは、次のように述べています。「市場をリードする製品の効率性に加え、供給に制約のある環境において、当社のエンド・ツー・エンドで垂直統合したソリューションは、強力で差別化のある競争優位性です。当社は、基板生産能力の増強に伴い、すでに2棟目を増築しており、今後も増設を続ける予定です」

オンセミは、SiCと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）の両方のソリューションを、エンド・ツー・エンドで提供できる唯一の大手サプライヤーです。先日行われた第2四半期決算説明会では、幅広い顧客層との長期供給契約により、今後3年間で40億ドルのSiC売上を約束することを発表しました。2022年には、昨年のSiC関連収益の3倍、2023 年には収益が 10 億ドルを超える見込みでありオンセミがSiC分野のリーダーとして前進していることを強調しました。

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