東芝、600Vスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETを発売

東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、最新世代プロセスで製造された600Vスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETのラインアップを拡充しました。 新製品「TK055U60Z1」は、DTMOSVIシリーズ初の600V製品です。

600V耐圧のDTMOSVIシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社既存世代DTMOSIV-H（ディーティーモスフォーエイチ）シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSVIシリーズは、低導通損失及び低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。

パッケージは、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続できるTOLLを採用しました。これにより、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することが可能となりMOSFETの高速スイッチング性能を引き出し、スイッチング時の発振を抑制します。

当社は、先行リリースの650V耐圧のDTMOSVIシリーズと併せて、今後も600V耐圧のDTMOSVIシリーズのラインアップを拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。