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ルネサス、DDR5メモリモジュール用の第3世代RCDおよび第1世代CKDをリリース

これらの新製品により、ルネサスはメモリモジュールのほか、マザーボードや組み込みアプリケーション向けのDDR5メモリインタフェースのポートフォリオをさらに拡充しました。

ルネサス、DDR5メモリモジュール用の第3世代RCDおよび第1世代CKDをリリース

ルネサス エレクトロニクス株式会社は、このたび、サーバ用およびクライアント用のDDR5メモリモジュールに向けて、第3世代のレジスタードクロックドライバ(RCD)ICと、第1世代のクライアントクロックドライバ(CKD)ICを発表しました。第3世代RCDは、サーバ向けのレジスタードDIMM(Registered Dual Inline Memory Module: RDIMM)向けに設計されており、メモリのデータ転送速度は第2世代品の5600MT/秒(メガトランスファ/秒)から最大6400 MT/秒に向上しました。CKDは、クライアント向けのスモールアウトラインDIMM(SODIMM)、バッファなしDIMM(UDIMM)、高性能ゲーミングDIMM、およびメモリダウンアプリケーション向けに設計されており、最大7200MT/秒の速度をサポートします。

RCDは、ホストコントローラとDRAMモジュール間のコマンドアドレス(CA)バス、チップセレクト、およびクロックをバッファするほか、LRDIMMのデータバッファを制御するBCOMバスを作成します。新製品は、DFEタップを4から6に増やしてレシーバのマージンを改善することにより、判定帰還型イコライザ(DFE)のサポートを強化しています。またI2CおよびI3Cサイドバンドバスへのサポートにより、レジスタアクセス制御への直接的なコンタクトが可能です。

CKDは、ホストコントローラとDRAMチップとの間のクロックをバッファします。このCKDを装備することは、クライアントDIMMやメモリダウンアプリケーション向けに最大7200MT/秒の高速で動作するDDR5 DIMMの新しい要件です。新製品は、I2CおよびI3Cサイドバンドアクセスのサポートにより、非同期制御を実現します。また内部制御語へのアクセスを提供することで、デバイス機能の設定や、さまざまな設定のSODIMMおよびUDIMM、メモリダウンシステムアプリケーションへの適応を可能にします。

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