機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

当社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路など向けに、最新世代プロセス「U-MOSⅩ-H (ユー・モス・テン・エイチ) 」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新製品は、ドレイン・ソース間オン抵抗を業界トップクラスの最大3.1mΩ (VGS=10V) に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5～3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。

パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。

当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。

応用機器

新製品の主な特長