電源効率の向上を実現する150V NチャンネルパワーMOSFET U-MOSX-Hシリーズの登場

東芝は、データセンターや通信基地局などの産業機器向けに、「U-MOSⅩ-Hシリーズ」を採用した150V系NチャネルパワーMOSFETを2製品投入し、製品ラインアップを拡充しました。

表面実装タイプのSOP Advance(N)パッケージに封止された、最大ドレイン･ソース間オン抵抗が11.1 mΩの「TPH1100CQ5」と、14.1 mΩの「TPH1400CQ5」です。

新製品 TPH1100CQ5 および TPH1400CQ5 は、同期整流アプリケーションにとって重要な逆回復特性が向上しています。 TPH1400CQ5は、当社従来品TPH1400CQHと比較して、逆回復充電量を約73%削減し、逆回復時間を約45%高速化します。 スイッチング電源の損失を低減し、同期整流時の高効率化に貢献します。

新製品は、MOSFETのスイッチング時にドレイン・ソース間に発生するドレイン・ソース間スパイク電圧も低減[注4]しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

当社は、今後も製品のラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。

• MOSFETのボディーダイオードが順方向から逆方向バイアスに切り替わるスイッチング動作
• TPH1400CQ5の同世代プロセス、同耐圧、同オン抵抗製品
• 逆回復動作を行わない回路で使用した場合、TPH1400CQHと同等の損失となります。
• 逆回復動作を行う回路で使用した場合

新製品の主な特長

1. 低い逆回復電荷量 :

• TPH1100CQ5 Qrr=32 nC (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs)
• TPH1400CQ5 Qrr=27 nC (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs)

2. 速い逆回復時間 :

• TPH1100CQ5 trr=38 ns (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs)
• TPH1400CQ5 trr=36 ns (typ.) (－dIDR/dt=100 A/μs)

3. チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C

内部回路構成図



応用回路例



www.toshiba.com

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