リテルヒューズ、SiC MOSFET および高電力用 IGBT 向けローサイドゲートドライバ「IX4352NEシリーズ」を発表
リテルヒューズ ジャパンは、6 月上旬に IX4352NE シリーズ ローサイド SiCMOSFET および IGBT ゲート ドライバーをリリースします。
本新製品は、産業用アプリケーションで SiC MOSFET および高出力 IGBT を駆動することに特化して設計されています。「IX4352NE シリーズ」 の大きな特徴は 9A ソースとシンク出力が分離されている点で、スイッチング損失を最小限に抑えながら、ターンオン、ターンオフのタイミングを調整することができます。負電圧レギュレータを内蔵し、ユーザーがゲート駆動バイアスを負にすることができ、dV/dt 耐性とターンオフの高速化を可能にします。ドライバの動作電圧範囲 （VDD - VSS） は最大 35V で、高度な柔軟性とパフォーマンスを実現します。
また、内蔵負電圧レギュレータにより外付けの補助電源や DC/DC コンバータが不要になります。この機能は特に SiC MOSFET をオフにする際に役立ち、一般的に外付けのロジックレベルトランスレータ回路に必要となる貴重なスペースを節約できます。ロジック入力は標準 TTL または CMOS ロジックレベルと互換性があるため、さらに省スペースを可能にします。
包括的な機能を備えた「IX4352NE シリーズ」は、回路設計を簡素化し、高度な統合を実現。ソフトシャットダウンシンクドライバを備えた非飽和検出（DESAT）、低電圧誤動作防止（UVLO）、サーマルシャットダウン（TSD）などの組込み保護機能により、パワーデバイスとゲートドライバが確実に保護されます。内蔵されたオープンドレインFAULT 出力は、マイコンに故障を通知するため、さらに安全性と信頼性が強化されます。また、貴重な PCB のスペースを節約して回路密度を上げ、全般的なシステムの効率化を図ります。
なお、新しい「IX4352NE シリーズ」 はピン互換があり、2020 年にリテルヒューズが発売した既存の IX4351NE 製品を使用している設計においては完全互換が可能です。
最新シリーズのリリースに関する詳細情報は、ローサイド SiC MOSFET および IGBT ゲートドライバ「IX4352NEシリーズ」製品ページ。
www.littelfuse.com
