東芝、電源効率向上に貢献する高速ダイオード型パワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップを拡充
東芝は、最新世代の650V高速ダイオード型（DTMOSVI（HSD））NチャネルパワーMOSFET「TK068N65Z5、TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5、TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5、TK115N65Z5」を製品化し、ラインアップを拡充しました。
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データセンターや太陽光発電用パワーコンディショナーなどの高効率スイッチング電源に適したスーパージャンクション構造を採用した「DTMOSVI（DTMOS シックス）シリーズ」。利用可能なパッケージは、TO-247、TO-220SIS、TO-220、DFN8×8 です。
新製品に使用したDTMOSVI (HSD) プロセスは、高速ダイオードを採用することで、ブリッジ回路やインバーター回路用途で重要な逆回復 特性を向上しました。新製品TK095A65Z5では、スタンダードタイプ (DTMOSVI) の当社既存製品TK090A65Zと比べて逆回復時間 (trr ) で約65%低減、逆回復電荷量 (Qrr) で約88% 低減 (測定条件 : -dIDR/dt=100A/μs) しています。また、DTMOSVI (HSD) プロセスでは、当社既存製品DTMOSIV (ディーティーモスフォー) シリーズの高速ダイオードタイプ (DTMOSIV (HSD)) と比較して逆回復 特性を改善し、高温のドレインしゃ断電流を低減しました。
さらに、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」も低減しました。新製品TK095A65Z5では、当社既存製品TK35A65W5と比べて高温のドレインしゃ断電流で約91%低減、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量で約70％低減 しています。これにより、機器の損失を低減し、高効率化に貢献します。
なお、新製品と同シリーズTK095N65Z5を搭載した「1.6kWサーバー用電源 (アップグレード版)」リファレンスデザインを当社webサイトに公開中です。
回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加えて、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。
当社は、DTMOSVIシリーズのラインアップを今後も拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。
応用機器
産業用機器
- スイッチング電源 (データセンターのサーバー、通信機器など)
- EV充電スタンド
- 太陽光発電パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
新製品の主な特長
最新世代 DTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプ
1. 高速ダイオードタイプによる高速逆回復時間 :
- TK068N65Z5 trr=135ns (typ.)
- TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5 trr=115ns (typ.)
- TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5、TK115N65Z5 trr=110ns (typ.)
2. 低ゲート・ドレイン間電荷量による高速スイッチング時間 :
- TK068N65Z5 Qgd=22nC (typ.)
- TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5 Qgd=17nC (typ.)
- TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5、TK115N65Z5 Qgd=14nC (typ.)
