機器の低消費電力化とバッテリーの長時間駆動に貢献する小型MOSFET

当社は、ウエアラブル端末やタブレットデバイスなどの携帯機器およびIoT機器向けに、低ゲート漏れ電流や低ドレインしゃ断電流を特長とした小型MOSFETを製品化しました。

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新製品は、ドレインしゃ断電流を当社従来MOSFET製品の1μA (max) から60nA (max) に大きく削減し、ゲート漏れ電流はMOSFETがオン状態となるゲート電圧条件下で50nA (max) (VGS=5V時) を保証しました。これらの特性は、半導体デバイスの高密度設計により増大するトータルエネルギーを最小限に抑えたいアプリケーションや、バッテリー駆動のポータブルデバイスに適しており、機器の省エネルギーとバッテリー持続性に大きく貢献します。

30V耐圧および20V耐圧のNチャネルMOSFETで4シリーズ、－20V耐圧のPチャネルMOSFETで2シリーズの計6シリーズ中29品種を製品化しました。さまざまな小型面実装パッケージを揃え、お客様の幅広いニーズに応えます。

応用機器

• スマートフォン
• ウエアラブル端末 (ヒアラブル端末)
• IoT機器
• ノートPC
• タブレットデバイスなど

新製品の主な特長
(SSM3K79シリーズ)

• 低ドレインしゃ断電流：IDSS = 60nA (max) (VDS=30V)
• 低ゲート漏れ電流：IGSS = 50nA (max) (VGS=±5V)

端子配置図



応用回路例



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