高電流対応ウルトラジャンクションMOSFETを拡充
LittelfuseのMMIX1T500N20X4シリーズが、高電力密度設計と熱管理の最適化を支援。
www.littelfuse.com
パワー半導体／産業・エネルギー向け電源
持続可能な社会と安全なインフラを支える工業技術を提供する Littelfuse は、200V・480A対応のX4クラス ウルトラジャンクションMOSFET「MMIX1T500N20X4シリーズ」を発表した。本製品は、高電流用途における導通損失低減と熱設計の簡素化を目的として開発されており、産業用電源やエネルギー貯蔵システムなどを主な適用分野とする。
高電流・低損失を両立する設計思想
高電力密度化が進む電源システムでは、導通損失と発熱の抑制が信頼性確保の重要な要件となっている。MMIX1T500N20X4シリーズは、オン抵抗1.99mΩという低RDS(on)特性を実現し、200VクラスのNチャネルMOSFETとして高い導通効率を提供する。連続ドレイン電流480Aに対応することで、従来は複数デバイスを並列接続していた構成を単一デバイスへ集約でき、回路構成の簡素化と部品点数削減につながる。
SMPD-Xパッケージによる熱管理と絶縁性能
本シリーズは、高性能セラミックベースを採用した絶縁型SMPD-Xパッケージを採用している。熱抵抗Rth(j-c)は0.14℃/Wと低く、上面冷却構造により効率的な放熱が可能である。また、2500VRMSの絶縁性能を備え、高電力用途における安全性と信頼性を確保している。これらの特性により、冷却機構の設計自由度が高まり、システム全体の小型化にも寄与する。
ゲート駆動とシステム効率への影響
ゲート電荷量は535nCに抑えられており、高電流デバイスでありながらゲート駆動に必要な電力を低減できる。これにより、スイッチング時の損失や駆動回路の負荷を抑制し、システム効率の向上が期待される。結果として、熱設計と電力効率の両面で設計マージンを確保しやすい構成となっている。
想定されるアプリケーション
MMIX1T500N20X4シリーズは、高電流・低〜中電圧領域で効率と信頼性が求められる用途を想定している。具体的には、DC負荷スイッチ、バッテリーエネルギー貯蔵システム、産業用およびプロセス用電源、産業向け充電インフラ、ドローンやVTOL（垂直離着陸）プラットフォーム向け電力変換回路などが挙げられる。
製品位置付け
本シリーズは、既存のX4クラスMOSFETと比較して電流定格を最大2倍、RDS(on)を最大63％低減する設計となっており、高電力密度システムにおける効率性と実装性の向上を目的とした製品群として位置付けられている。これにより、コスト効率と長期的なシステム信頼性の両立を図る設計を支援する。
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