第8世代IGBT搭載モジュールで損失19％削減

三菱電機は、工作機械や産業用ロボット向けインバーター、大容量モータードライブ装置に使用される「産業用NXタイプ 1.2kV IGBTモジュール」10機種のサンプル提供を6月15日から順次開始する。最新の第8世代IGBT技術を採用し、従来世代と比較して電力損失を最大約19％低減するとともに、高出力化と設計効率向上を目指す。

産業機器では脱炭素化とエネルギー効率向上への要求が強まり、パワー半導体はモーター制御や電力変換システムにおける消費電力削減の重要技術となっている。

第8世代IGBTが産業用インバーターの効率向上を支援
新製品には独自のSDA（Split Dummy Active）構造およびCPL（Controlling carrier Plasma Layer）構造を採用した第8世代IGBTが搭載されている。SDA構造はゲート容量の最適化を目的とし、CPL構造はチップ裏面の深いn層形成によってダイナミック動作時のキャリア制御を実現する。

三菱電機によるシミュレーションでは、従来製品CM800DX-24T1（第7世代IGBT搭載）との比較条件として、2level、Vcc=600V、Io=350Arms、M=1、PF=1、Fc=2kHz、fo=50Hz環境下で最大約19％の電力損失低減を確認した。この低損失化により、産業用インバーターやモータードライブ装置の消費電力削減が期待される。

定格電流1000A対応で高出力化を実現
IGBTとダイオードチップ配置を最適化したことで、従来製品と同一パッケージを維持しながら定格電流1000A品を新たに追加した。これは従来製品CM800DX-24T1比で1.25倍の定格電流容量に相当し、高出力インバーター設計への対応範囲を拡大する。

既存の産業用NXタイプパッケージを継続採用することで、従来品からの置き換え時に機械設計変更を抑えやすく、インバーター開発期間短縮にも寄与するとしている。

パワー半導体需要拡大に対応した展示計画
同製品は2026年6月9日から11日までドイツ・ニュルンベルクで開催されたPCIM Expo & Conference 2026をはじめ、日本や中国などの展示会でも紹介予定である。パワー半導体市場では産業機器、鉄道、電力、自動車分野などで高効率化需要が拡大しており、IGBT技術はエネルギー変換効率向上の主要要素となっている。

追加コンテキスト
原発表に含まれない技術仕様および競合比較

産業用IGBTモジュールは一般的に電力損失、定格電流、スイッチング性能、熱効率およびパッケージ互換性で比較される。三菱電機の第8世代IGBTによる最大19％の損失低減は、第7世代製品比の改善値として示されているが、同市場では富士電機やInfineon Technologiesの産業用IGBTモジュールも高効率化を目的に低損失設計を進めている。

定格電流1000A対応と従来パッケージ互換性の両立は、既存設備更新時の設計変更削減に寄与する点で差別化要素となる。産業用途では、効率改善だけでなく既存インバーターシステムへの適合性が導入判断の重要な比較指標と

Natania Lyngdoh（Induportals編集者）による編集。AI支援を使用。

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