保護機能を内蔵した中大電流IGBT/MOSFET用フォトカプラーの発売について

当社は、産業用インバーターや太陽光発電用パワーコンディショナーなど向けに、コレクター電圧モニターによる過電流検出機能など各種機能[注1]を内蔵した中大電流IGBT/MOSFETプリドライブ用フォトカプラー「TLP5231」を製品化し、本日から量産出荷を開始します。

新製品は、後段のpチャネルおよび nチャネルのコンプリメンタリーMOSFETバッファー(増幅)を介して、中大電流IGBTおよびMOSFETのゲートをコントロールするプリドライバーです。当社従来製品[注2]では電流増幅のためにバイポーラートランジスターで構成したバッファー回路を使う必要があり、動作中は常にベース電流を消費していました。

TLP5231では、外付けのコンプリメンタリーMOSFETバッファーを使うことができるため、電流を消費するのはバッファーMOSFETゲートの充放電時のみとなり、低消費電力化が図れます。また、外付けのコンプリメンタリーMOSFETバッファーサイズを変えるだけで、さまざまなIGBT/MOSFETで必要なゲート電流を作ることが可能です。TLP5231とMOSFETバッファー、IGBT/MOSFETの構成をプラットフォームにすることで、システムのパワーサイズに応じたラインアップをカバーできるため設計負荷の軽減に貢献します。

また、過電流検出後のIGBT/MOSFETゲート電圧のソフトターンオフ時間は、MOSFETバッファーとは別の外付けMOSFETを介して制御可能です。さらに、コレクター電圧モニターによる過電流検出時に加え、UVLO[注3]検出時にも一次側にフォルト信号を出力します。新製品は、これら当社従来製品[注2]にない新たな特長により、従来製品と比べゲート駆動回路の設計を容易にできます。

www.toshiba.semicon-storage.com

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