業界トップクラスの低損失を実現 ディスクリートIGBT「XSシリーズ」のラインアップ拡充について

富士電機株式会社（代表取締役社長：北澤 通宏、本社：東京都品川区）は、ディスクリートIGBT※1「XSシリーズ」において、業界トップクラスの低損失を実現した1,200V定格品をラインアップに追加しましたので、お知らせいたします。

ディスクリートIGBT「XSシリーズ」

※1 Insulated Gate Bipolar Transistor

1. 背景
世界では、脱炭素社会の実現に向けて大きく舵がきられるなか、社会・産業インフラ設備の更なる省エネ化が期待されています。
デジタル変革により投資が拡大するデータセンターの安定稼働に欠かせない無停電電源装置（UPS）、再生可能エネルギーの発電設備に欠かせないパワーコンディショナ（PCS）、電動車の充電インフラを支えるEV用充電器などのパワーエレクトロニクス機器※2には、電力変換・制御のキーデバイスとしてパワー半導体が搭載されています。
パワー半導体は、回路内でスイッチング（電気のオン・オフの切り替え）を細かく繰り返すことで、電圧の制御や直流と交流を切り替えるなどの役割を担います。ディスクリートIGBT「XSシリーズ」は、スイッチング時に生じる電力損失（スイッチング損失）と電気が回路内を流れる際に生じる電力損失（定常損失）の双方を低減し、搭載される製品の省電力化に貢献します。
今回、数10kVAクラスのUPSなど幅広い容量帯の機器に対応すべく、既存の650V定格品に加えて、新たに1,200V定格品の販売を開始しました。ラインアップの拡充により、お客様の機器の設計に貢献します。

本製品が搭載される産業機器の市場規模は現在の600億円から2023年に700億円に伸長する※3と見られており、需要が旺盛な中国、台湾など、グローバルに展開していきます。

※2 電力の変換・制御などを行う機器
※3 当社推定

2. 「XSシリーズ」の主な適用先・役割


3. 製品の特長
定常損失とスイッチング損失を同時に低減
本製品は、業界最高クラスの低損失性能を持つ最新の第7世代IGBT素子を搭載しています。チップ構造の最適化とSi（シリコン）基板の薄化により、定常損失とスイッチング損失のトレードオフ特性を改善しました。当社従来品に比べて定常損失を約20%低減するとともに、スイッチング時の電力損失を約6%低減。これにより業界トップクラスの低損失を実現し、搭載機器の省エネと電力コストの削減に貢献します。

4. 主な仕様



www.fujielectric.com

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