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Toshiba News

Toshiba: 実装面積削減に貢献するインテリジェントパワーデバイスの発売について

当社は、産業用機器のプログラマブルロジックコントローラーなどで使用される、モーター、ソレノイド、ランプなどの誘導性負荷の駆動を制御するインテリジェントパワーデバイス2品種を製品化しました。

Toshiba: 実装面積削減に貢献するインテリジェントパワーデバイスの発売について

8チャネルハイサイドスイッチTPD2015FN」、および8チャネルローサイドスイッチTPD2017FN」の出荷を本日から開始します。

新製品TPD2015FNとTPD2017FNは、当社アナログ素子混載プロセス (BiCD)[注1]を採用し、出力段のオン抵抗を標準0.4Ωと当社の従来製品[注2]に比べて1/2以下へ低減しました。パッケージは、当社の従来製品[注2]のSSOP24パッケージ[注3]と比べて実装面積を約71%に削減、高さを約80%に低減し、ピン間ピッチを0.65mmに短縮した小型SSOP30パッケージ[注4]に搭載しました。これにより、機器の低損失と小型化に貢献します。

また、最大動作温度については従来製品[注2]が85℃に対し新製品が110℃と高いため、より高温度状況での使用に適しています。さらに、両製品とも過電流保護回路と過熱保護回路を内蔵しており、機器の信頼性向上に貢献します。

新製品の主な特長

  • NチャネルMOSFET(8チャネル)と制御回路を組み込んだモノリシックパワーIC(ハイサイドスイッチTPD2015FNはチャージポンプ内蔵)
  • SSOP24パッケージと比較して実装面積を約71%に削減したSSOP30パッケージを採用
  • 高い動作温度定格:Topr (max) =110°C
  • 保護機能を内蔵(過熱、過電流)
  • 低オン抵抗 : RDS(ON)=0.4Ω (typ.) @VIN=5V、Tj=25°C、IOUT=0.5A

www.toshiba.com

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