www.engineering-japan.com
20
'23
Written on Modified on
Toshiba News
東芝：電力効率の向上に貢献する新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインナップを拡充
富士通テンは、通信機器など産業機器のスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSX-Hシリーズ」を採用した150V対応NチャネルパワーMOSFETを新たに2種類追加し、ラインアップを拡充しました。
TPH1400CQH と TPN4800CQH は、ドレイン-ソース間オン抵抗 (最大) がそれぞれ 14.1 mΩ と 48 mΩ の表面実装型パッケージです。
新製品は、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hシリーズの150 V耐圧製品と比べてドレイン·ソース間オン抵抗を低減しました。また、素子構造の最適化により、ドレイン･ソース間オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注１]し、業界トップクラス[注2]の低損失を実現しました。さらに、スイッチング時にドレイン･ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。
応用機器
- 通信機器用電源
- スイッチング電源 (高効率DC-DCコンバーターなど)
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注２]の低損失を実現 (オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善)
- 低オン抵抗 :
- TPH1400CQH RDS(ON)=14.1 mΩ (max) (VGS=10 V)
- TPN4800CQH RDS(ON)=48 mΩ (max) (VGS=10 V)
- チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C
