ルネサス、優れた性能を備えた新しい MOSFET を発表
ルネサスの新しいウェハ技術により、オン抵抗が 30%、ゲートドレイン電荷が 40%、パッケージ サイズが 50% 削減されました。
www.renesas.com
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、新しい100V NチャネルMOSFET、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」およびTOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売し、量産を開始しました。ルネサスが新たに開発したスプリットゲート構造プロセス（REXFET-1）は、従来のANM2プロセス（RBA250N10CHPF）に比べ、オン抵抗（MOSFETがオン状態のときに発生する抵抗）を30％、ゲート総電荷量（Qg特性）を10％、ゲート・ドレイン間電荷量（Qgd特性）を40％低減し、電力損失を大幅に低減します。
また、新製品は業界標準パッケージであるTOLLパッケージとTOLGパッケージを採用しているため他社製品とのピン互換性がある上に、従来のTO-263パッケージと比べて50％の小型化を実現しました。なお、TOLLパッケージはウェッタブルフランク構造を採用し、自動外観検査にも対応しています。これらの特長により、スイッチング電源、モータ制御用インバータ、バッテリマネジメントシステムなど電流負荷の大きいアプリケーションにおける電力損失の削減を実現すると共に、電気自動車、電動自転車、充電ステーション、電動工具等の製品の性能向上に貢献します。
ルネサスでディスクリートパワーソリューション事業部のヴァイスプレジデントであるAvi Kashyapは次のように述べています。「ルネサスは長年にわたりMOSFET市場をリードしてきました。当社の製造力をこの市場に活かすことで、高度な技術を駆使した製品をお客様にお届けします。また複数の大規模工場によって確実な供給体制を整えています。」
ウィニング・コンビネーション
ルネサスは、MOSFETの新製品とマイコンやその他のデバイスを組み合わせて、48Vモビリティプラットフォームや3-in-1電気自動車ユニット（インバータ、車載充電器、DC/DCコンバータ）など、多彩なウィニング・コンビネーションを提供しています。 ウィニング・コンビネーションは、ルネサス製品を最適に組み合わせ、あらかじめエンジニアによる設計検証を行っているため、ユーザ側での設計リスクを低減し、製品の市場投入までの時間を短縮することができます。他にも、さまざまなアプリケーション向けに400種類以上のウィニング・コンビネーションを提供しています。新製品の詳細は、RBA300N10EANS およびRBA300N10EHPFをご覧ください。
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