リテルヒューズ、高周波電力システム向けゲートドライバ IXD2012NTRシリーズを発表

リテルヒューズのIXD2012NTRゲートドライバは、2.3Aのシンク電流、200Vブートストラップ動作、そしてモーター制御および電力コンバータ向けの統合保護機能を備えています。

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持続可能でコネクテッド、そしてより安全な世界を実現する産業技術メーカー、リテルヒューズ株式会社の日本法人、リテルヒューズ・ジャパンは、ハーフブリッジ構成で2つのNチャネルMOSFETまたはIGBTを駆動する高速ハイサイド/ローサイド・ゲートドライバ IXD2012NTRシリーズを6月上旬に発売します。本製品は高周波電力アプリケーション向けに最適化されており、優れたスイッチング性能と設計柔軟性を提供します。

「IXD2012NTRシリーズ」は、10～20Vの広い電圧範囲で動作すると同時に、ブートストラップ動作では最大200Vのハイサイドスイッチに対応。3.3Vまでの標準TTLおよびCMOSレベルと互換性を備えたロジック入力は、幅広い制御デバイスとのシームレスな統合を可能にします。また、1.9Aのソースと2.3Aのシンク出力能力を備えており、高速スイッチングアプリケーションに最適な堅牢なゲート駆動電流を供給します。

統合されたクロスコンダクション保護ロジックを内蔵することでハイサイド出力とローサイド出力が同時にオンになることを防ぎ、高レベルの統合により回路設計を簡素化します。さらに、コンパクトなSOIC（N）-8パッケージを採用し、-40～+125℃の動作温度で過酷な環境でも信頼性の高いパフォーマンスを発揮します。

「IXD2012NTRシリーズ」は既存の業界基準ゲートドライバーデバイスから置き換えることが可能で、高速パフォーマンスの実現と同時に、厳しい生産スケジュールに対応するための信頼性の高い代替ソースを提供します。

特長

• 高速なスイッチング性能：ハーフブリッジ構成で2つのNチャネルMOSFETまたはIGBTを駆動します。
• 幅広い動作電圧範囲：10～20Vの電圧範囲で様々な電力管理アプリケーションに対応します。
• ハイサイドスイッチング性能：ブートストラップ構成で最大200Vでの動作が可能です。
• 互換性と柔軟性：ロジック入力は最低3.3VのTTLおよびCMOSレベルに対応しており、コントローラとのインターフェースが容易です。
• 出力電流駆動性能：1.9Aのソース出力と2.3Aのシンク出力により、堅牢なゲート駆動電流を実現します。
• 向上した効率と統合性：統合されたクロスコンダクション保護により、電力損失を低減し設計を簡素化します。
• 業界基準のピン配置：既存の設計に対する置換が可能です。

アプリケーションと市場
本製品は次のような様々な高周波アプリケーションに対応しています。

• DC-DC コンバータ
• AC-DCインバータ
• モーター制御装置
• クラスDパワーアンプ

仕様

• 最大オフセット電圧：200V
• ソースピーク駆動電流（代表値）：1.9A
• シンクピーク駆動電流（代表値）：2.3A
• 入力：HIN / LIN
• デッドタイム：なし
• 伝搬遅延時間（tON）：180ns
• 伝搬遅延時間（tOFF）：220ns
• 立ち上がり時間（tr）：30ns
• 立ち下り時間（tf）：20ns
• IC パッケージタイプ：8-pin SOIC

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