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Toshiba News
電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Z
当社は、データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業機器のスイッチング電源向けに、650 V耐圧の新世代[注1]スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ「TK110N65Z」「TK110Z65Z」「TK110A65Z」「TK125V65Z」「TK155A65Z」「TK170V65Z」「TK190A65Z」「TK210V65Z」8品種を製品化し、パッケージとオン抵抗でラインアップを拡充しました。
新世代DTMOSVIシリーズは、従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、性能指数のドレイン·ソース間オン抵抗×ゲート·ドレイン間電荷量を約40 %低減し、スイッチング電源の効率を約0.36 %[注2]向上させることが可能です。
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