4G/5Gインフラシステム向けRFアンプ「F1490」を発売、無線機を内蔵するアクティブアンテナシステム市場のリーダーシップを強化
～超低自己消費電流のF1490により、低消費電力化、ゲインバジェットのマージンの拡大、優れた性能を実現～.
ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼CEO: 柴田 英利、以下ルネサス）は、このたび、RFアンプのポートフォリオを強化し、極めて低い75mAの自己消費電流を実現するRFアンプ「F1490」のサンプル出荷を開始しました。F1490は、第2世代の高ゲイン、2ステージ構成のRFアンプで、1.8GHzから5.0GHzの主要なサブ6GHzの5G周波数帯域をカバーしています。F1490は、トランスミッタ（Tx）製品の選択を簡素化し、より大きいマージンを持ってゲインブロックを置き換えることができます。また、システム設計の柔軟性を高めるために2種類のゲインモードを選択可能であり、低消費電力かつ優れた性能を実現します。F1490のサンプルは、3mm角、16ピンQFNパッケージで提供を開始しており、量産は2020年9月の予定です。
ルネサスのインダストリアル・コミュニケーション事業部、RF通信担当Vice PresidentのNaveen Yanduruは次のように述べています。「F1490は、高いOP1dBの性能と2.4dBの雑音指数を維持しながら、選択可能なモードと超低消費電力で高ゲインを実現するため、お客様は大規模MIMOの5Gプリドライバに求められるシステムレベルの要件をすべて満たすことができます。私たちは、アクティブアンテナシステムや4G/5G基地局、その他無線通信機器向けのRFアンプソリューションで、LTEと5Gのイノベーションを推進し続けます。」
F1490RFアンプは、1.8GHzから5.0GHzの周波数範囲内で動作し、高ゲイン、高い直線性、広い帯域幅を特長としており、FDDとTDDの両方の通信方式のサブ6GHz帯5Gアプリケーションでの使用に適しています。F1490は、従来品とピン互換のため、置き換え時のコストを低減します。
F1490の主な特長
- 2種類のゲインモードを選択可能：39.5dBの高ゲインまたは35.5dBの低ゲイン
- OIP3が38dBm、OP1dBが24dBmの高性能
- 1.8GHzから5.0GHzのRF周波数範囲
- 75mAの超低自己消費電流
- 電源電圧：5V
- 最大+115°Cの動作温度
今日、データレートが高くなっていることに伴い、無線信号対雑音比の向上が求められており、より高い直線性のRFコンポーネントが必要とされています。ルネサス独自の技術革新による特許取得済みRFソリューションは、セルラー4G/5G基地局、通信システム、マイクロ波（RF/IF）、CATV、試験・測定機器など、幅広いアプリケーションの進化するニーズに対応しています。ルネサスのアクティブアンテナシステム（AAS）ソリューションには、インタフェースアンプ、低ノイズアンプ、スイッチ、プリドライバがあり、大規模MIMOの高性能な送受信要件に、高効率かつ小型のフォームファクタで対応していきます。
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