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'23
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Renesas News
ルネサス、AMDの宇宙用VersalアダプティブSoC向けにパワーマネジメントICのリファレンスデザインパックを提供開始
4つの新製品を含む耐放射線IC群で構成され、高効率かつ省スペースの電源設計が可能な上、開発期間の短縮を実現。
AMDの宇宙用VersalアダプティブSoC向けパワーマネジメントソリューション
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、このたび、AMDのVersalアダプティブSoC（System on Chip）「XQRVC1902」向けに宇宙環境対応の電力供給のリファレンスデザインを発表しました。AMDと共同で開発したリファレンスデザイン「ISLVERSALDEMO2Z」は、4つの新製品を含む耐放射線パワーマネジメントIC使用して、省スペース設計を実現しています。ルネサスは宇宙航空分野向けに特別に設計し、幅広いパワーレールをサポートする製品群をインターシルブランドで提供しています。宇宙空間の過酷な環境に対応しながら、厳しい電圧許容範囲、高電流、および効率的な電力変換へのニーズを満たすことができます。
FPGAやASICの駆動電圧が低下し、消費電流が増加していく中で、デバイスが問題なく動作するために厳しい電力要件を満たすことは、ますます難しくなりつつあります。この要件は、供給電力に限りがあり、極めて厳しい温度条件や放射線環境に長時間さらされる宇宙ミッションにおいては特に重要です。
このような課題に対処するため、ルネサスはAMDと協業して、AMDのVersalプラットフォーム向けのパワーマネジメントソリューションを開発しました。VersalアダプティブSoCは、業界をリードする宇宙グレードのコンピューティングプラットフォームで、耐放射線特性と、高速なAI推論、および高帯域幅の信号処理能力を実現します。リファレンスデザインは、最大140A（アンペア）の電流を供給できる0.80Vの低コア電圧電源を含む、Versalプラットフォームで使用される各パワーレールを生成します。
本リファレンスデザインには、ルネサスの各種パワーマネジメントICが搭載されており、耐放射線製品としての試験済みです。これらのICには、パルス幅変調（PWM）コントローラ、GaN FETハーフブリッジドライバ、ポイント・オブ・ロード（POL）レギュレータ、パワー／イネーブルスイッチ、パワーシーケンサなどが含まれます。これらのデバイスは小型パッケージで提供されるため、コアとなるパワーレールコンポーネントの基板面積はわずか名刺2枚分の大きさに相当する104cm2です。
さらに、本リファレンスデザインには、回路図、部品表、PCBガーバーファイルなど、ユーザがシステムへの迅速な統合を行うために必要な設計情報がすべて付属しています。
リファレンスデザインに使用している新製品の主な特長は以下の通りです。
耐放射線デュアル出力PWMコントローラ：ISL73847SEHの主な特長
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、このたび、AMDのVersalアダプティブSoC（System on Chip）「XQRVC1902」向けに宇宙環境対応の電力供給のリファレンスデザインを発表しました。AMDと共同で開発したリファレンスデザイン「ISLVERSALDEMO2Z」は、4つの新製品を含む耐放射線パワーマネジメントIC使用して、省スペース設計を実現しています。ルネサスは宇宙航空分野向けに特別に設計し、幅広いパワーレールをサポートする製品群をインターシルブランドで提供しています。宇宙空間の過酷な環境に対応しながら、厳しい電圧許容範囲、高電流、および効率的な電力変換へのニーズを満たすことができます。
FPGAやASICの駆動電圧が低下し、消費電流が増加していく中で、デバイスが問題なく動作するために厳しい電力要件を満たすことは、ますます難しくなりつつあります。この要件は、供給電力に限りがあり、極めて厳しい温度条件や放射線環境に長時間さらされる宇宙ミッションにおいては特に重要です。
このような課題に対処するため、ルネサスはAMDと協業して、AMDのVersalプラットフォーム向けのパワーマネジメントソリューションを開発しました。VersalアダプティブSoCは、業界をリードする宇宙グレードのコンピューティングプラットフォームで、耐放射線特性と、高速なAI推論、および高帯域幅の信号処理能力を実現します。リファレンスデザインは、最大140A（アンペア）の電流を供給できる0.80Vの低コア電圧電源を含む、Versalプラットフォームで使用される各パワーレールを生成します。
本リファレンスデザインには、ルネサスの各種パワーマネジメントICが搭載されており、耐放射線製品としての試験済みです。これらのICには、パルス幅変調（PWM）コントローラ、GaN FETハーフブリッジドライバ、ポイント・オブ・ロード（POL）レギュレータ、パワー／イネーブルスイッチ、パワーシーケンサなどが含まれます。これらのデバイスは小型パッケージで提供されるため、コアとなるパワーレールコンポーネントの基板面積はわずか名刺2枚分の大きさに相当する104cm2です。
さらに、本リファレンスデザインには、回路図、部品表、PCBガーバーファイルなど、ユーザがシステムへの迅速な統合を行うために必要な設計情報がすべて付属しています。
リファレンスデザインに使用している新製品の主な特長は以下の通りです。
耐放射線デュアル出力PWMコントローラ：ISL73847SEHの主な特長
- 同期整流降圧PWMコントローラ
- 単相または二相
- 4.5V～19Vの入力電圧範囲
- VREF並みの低出力電圧：0.6V+/-0.67%（温度、放射線、寿命）
- 出力電圧の差動リモートセンシング
- 高い耐放射線性、低線量率 (LDR 0.01 rad(Si)/s): 75krad(Si)
- 動作温度範囲：-55 °C～+125 °C
宇宙用GaN FETのハーフブリッジドライバ：ISL73041SEHとISL71441Mの主な特長
- ISL73847SEH同期整流降圧PWMコントローラとインタフェース可能
- プログラマブルゲートドライブ、4.5V～5.5V
- ISL73847SEHとの双方向通信による起動同期と故障検出
- ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバの間の整合性が良く、伝播遅延が小さい
- 最大13.2Vの広いVDD入力電圧範囲
- クラス最高のシングルイベント効果（SEE）性能
- セラミックパッケージ（ISL73041SEH）またはプラスチックパッケージ（ISL71441M）で入手可能
- 動作温度範囲：-55 °C～+125 °C
耐放射線POLレギュレータ：ISL73007SEHの主な特長
- 3V～18Vの入力電圧範囲
- 内部または外部位相補償
- 温度および放射線に対して1%の基準電圧
- 1A～3Aで90%以上の効率
- 業界最小フットプリントの14リードのセラミックデュアルフラットパックパッケージ
- 高い耐放射線性、低線量率 (LDR 0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
- 動作温度範囲：-55 °C～+125 °C
これらの製品とリファレンスデザインは、7月24～28日に米国ミズーリ州カンザスシティで開催されるIEEE Nuclear & Space Radiation Effects Conference（NSREC）のルネサスのブース（#112/113）で紹介する予定です。
