光ファイバー通信用「チューナブルレーザーダイオードチップ」サンプル提供開始
三菱電機株式会社は、光ファイバー通信用光トランシーバー※1 に搭載される光デバイスの新製 品として、デジタルコヒーレント通信※2 の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献する 「チューナブルレーザーダイオード※3 チップ」のサンプル提供を 10 月 1 日に開始します。
チューナブルレーザーダイオードチップ(イメージ)
デジタルコヒーレント通信の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献.
第 5 世代移動通信システム網の拡大や動画配信サービスの普及によるデータ通信トラフィック の急増に伴い、光ファイバー通信の長距離通信網やデータセンター間の通信網などで、従来の 100Gbps※4 から 400Gbps への高速大容量化が求められており、既存の光ファイバーの通信効率 を高めるため、デジタルコヒーレント通信方式の適用が拡大しています。一方、高速大容量対応 の光トランシーバーを既存の限られたスペースに新たに設置するには、光トランシーバーのさら なる小型化が必要ですが、パッケージで提供されているチューナブルレーザーダイオードでは、 光トランシーバーの小型化が難しいという課題がありました。
今回、当社が開発した「チューナブルレーザーダイオードチップ」は、デジタルコヒーレント 通信で用いられる 1.55μm 帯のレーザー光を出力し、400Gbps 光トランシーバー標準規格(OIF- 400ZR-01.0)に準拠した広い波長帯に対応することで、デジタルコヒーレント通信の大容量化に 貢献します。また、チップでの提供により、お客様の光トランシーバーに最適なパッケージ設計 が可能になります。さらに、本製品は、これまで当社が開発してきた移動通信システム基地局向 け DFB レーザー※5 やデータセンター向け EML※6 チップで採用している半導体製造技術を基に 設計しており、高い信頼性を有しています。
チューナブルレーザーダイオードチップの適用例
新製品の特長
1.広い波長帯に対応することでデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
- 1～16チャネルの異なる発振波長を持つ16個のDFBレーザーを並列に配置したアレイ構造の採用で、広い波長帯に対応
- チップの温度制御により、チャネルごとに約2.7nmの波長変更を可能とし、発振波長1527.994～1567.133nmの1.55μm帯レーザー光出力を実現
- 400Gbps光トランシーバー標準規格（OIF-400ZR-01.0）に準拠したデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
レーザー光出力波長可変範囲
チップ提供により、光トランシーバーの小型化に貢献
- チップで提供することにより、お客様のパッケージ設計における他の光学部品との共通化や部品配置の最適化を可能とし、光トランシーバーの小型化に貢献
今後の予定・将来展望
当社は今後、2023 年の量産化を目指し、デジタルコヒーレント通信の大容量化と光トランシー バーの小型化に貢献していきます。また、次世代の 800Gbps 市場の到来を見据え、チューナブル レーザーダイオードチップに加え、光変調器チップの開発を予定しています。
製品仕様
www.mitsubishielectric.com
