ローム、EcoGaNパワーステージIC「BM3G0xxMUV-LB」を開発

ローム株式会社は、データサーバー等の産業機器、ACアダプター等の民生機器で使用される一次電源*1に向けて、650V GaN HEMT*2及びゲート駆動用ドライバ等を1パッケージに内蔵したパワーステージIC「BM3G0xxMUV-LB」（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）を開発しました。

また、幅広い駆動電圧範囲（2.5V～30V）など、一次電源における、あらゆるコントローラICに対応できる性能を有しているため、既存のシリコンMOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下、Si MOSFET）からの簡単置き換えを実現します。これにより、Si MOSFETに比べて部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できるため、低損失化と小型化を同時に実現可能です。

＜背景＞
近年、持続可能な社会実現に向けて、民生機器や産業機器の電源には、省エネ化が求められています。これに対してGaN HEMTは、電力変換効率の向上や装置の小型化に大きく寄与するデバイスとして期待されていますが、Si MOSFETに比べてゲートの取り扱いが難しいことから、ゲート駆動用ドライバとセットで使う必要があります。この市場背景に対して、ロームは、注力するパワーとアナログ、2つのコア技術を掛け合わせることで、パワー半導体のGaN HEMTとアナログ半導体のゲート駆動用ドライバを1パッケージにしたパワーステージICを開発しました。これにより、次世代パワー半導体とも言われるGaNデバイスの簡単実装を実現しました。

＜アプリケーション例＞

＜EcoGaN™とは＞
EcoGaN™は、GaNの性能を最大限活かすことで、アプリケーションの低消費電力化と周辺部品の小型化、設計工数と部品点数の削減を同時に目指した省エネ・小型化に貢献するロームのGaNデバイスです。