電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充

当社は、データセンター向け高効率スイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造の当社最新世代プロセスを採用した600V耐圧NチャネルパワーMOSFET「DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ」のラインアップを拡充しました。

600V耐圧のDTMOSVIシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSVIシリーズは、低導通損失および低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。

回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加えて、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。

当社は、今後も「DTMOSVIシリーズ」のラインアップを拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。

応用機器

新製品の主な特長