Littelfuse が効率向上を実現する次世代 X4 クラス 200V パワー MOSFET を発表
Littelfuse の IXTN400N20X4 および IXTN500N20X4 ウルトラジャンクション MOSFET は、最大 2 倍の電流定格と 63% 低いオン状態抵抗を実現し、最新の電力アプリケーションにおける設計のシンプルさ、信頼性、効率性を向上させます。
これらの新製品は、現在の 200V X4 クラス Ultrajunction MOSFET の進化版で、業界で最も低いオン状態抵抗を特徴としています。高電流定格により、複数の低電流定格デバイスを並列に置き換えることができます。これにより設計プロセスが簡素化され、設計者の負担が軽減され、アプリケーションの信頼性と電力密度が向上します。さらに、SOT-227B パッケージのネジ取り付け端子により、頑丈で安定した取り付けが可能です。
本製品は、既存のリテルヒューズX4クラスウルトラジャンクション製品群を補完し、ポートフォリオを強化するものです。現行の最先端X4クラスMOSFETソリューションと比較して、最大2倍の電流定格と最大63%低いRDS（on）値を実現しています。
設計者は、本製品を用いることで並列に接続した複数の低電流定格デバイスを単一のデバイスに置き換えられます。これにより本製品は、ゲートドライバ設計の簡素化、信頼性の向上、電力密度の改善、およびPCBスペースの専有率の削減に貢献する画期的なソリューションとなります。
特長
- 低伝導損失
- 並列接続の労力を最小限に抑制
- ドライバ損失を最小限に抑え、ドライバ設計を簡素化
- 熱設計の簡素化
- 電力密度の向上
オン状態の損失を最小限に抑えることが高く重視されるアプリケーションにおいて、なぜオン抵抗の小さいMOSFETが選ばれるのか？
オン抵抗（RDS（on））が小さいMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、オン状態での損失の最小化を特に重要視するアプリケーションにおいて理想的な選択肢となります。動作中の電力損失を大幅に削減し、伝導損失の低減、効率の向上、発熱の低減を実現します。このため、電源、モータードライバー、バッテリー駆動機器など、継続的な電力効率の維持と熱管理が必須で緻密な電力管理が求められるアプリケーションに理想的です。
仕様
IXTN500N20X4
- 定格電圧（V）：200
- ドレイン・ソース間電圧 VDSS（V）：200
- オンステート抵抗 RDS（ON）、最大値 @ 25 ℃ （Ω）：1.99
- ドレイン電流 ID@ 25 ℃（A）：500
- ゲート電荷量 Qg（nC）：535
- 熱抵抗 RthJC（K/W）：0.13
- 構成：シングル
- パッケージタイプ：窒化アルミニウムセラミックベース絶縁型 SOT-227B
- 入力容量 CISS（pF）：41500
- 公称逆回復時間 trr、TYP（ns）：250
- 許容損失 PD（W）：1150
- AEC-Q101 適合：なし
- 最大ジャンクション温度TJ（°C）：175
IXTN400N20X4
- 定格電圧（V）：200
- ドレイン・ソース間電圧 VDSS（V）：200
- オンステート抵抗 RDS（ON）、最大値 @ 25 ℃（Ω）：3
- ドレイン電流 ID@ 25 ℃ （A）：340
- ゲート電荷量 Qg（nC）：348
- 熱抵抗 RthJC（K/W）：0.18
- 構成：シングル
- パッケージタイプ：窒化アルミニウムセラミックベース絶縁型 SOT-227B
- 入力容量 CISS（pF）：27700
- 公称逆回復時間 trr、TYP （ns）：270
- 許容損失 PD （W）：830
- AEC-Q101 適合：なし
- 最大ジャンクション温度TJ （°C）：175
