27
'23
Toshiba News
東芝は、米国で50年以上の経験を持ち、多様な産業にソリューションを提供しています。デジタル技術を活用し、社会の課題に取り組み、持続可能な未来を確保します。エネルギー、インフラストラクチャ、デバイスにおける同社の革新的な進歩は、新たな時代の幕開けを告げるものです。東芝は、IoTソリューション、半導体、電力システム、リテールソリューションなど、幅広い製品とサービスを提供しています。デジタルトランスフォーメーション、サステナビリティ、イノベーションに重点を置き、東芝は世界中の顧客と連携し、技術革新を通じてより良い世界を創造しています。
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19
'23
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東芝、半導体テスターの高周波信号スイッチに最適な小型フォトリレーを発売
新製品は、多数のリレーを使用し、信号伝送の高速化が求められる半導体テスターのピンエレクトロニクスなどに適しています。
22
'23
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車載機器の低消費電力化に貢献する40 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充
当社は、車載機器向けにSOP Advance(WF)パッケージの40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XPHR9904PS、XPH2R404PS、XPH3R304PS」の3品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。
06
'23
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産業用機器の高効率化・小型化に貢献する業界初の2200V耐圧Dual シリコンカーバイド (SiC) MOSFETモジュール開発について
新製品は、DC1500Vで使用する太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションに適しています。
31
'23
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車載機器に適したサージ保護用ツェナーダイオード20品種を製品化
当社は、AEC-Q101に適合した車載機器向けサージ保護用ツェナーダイオード「XCUZシリーズ」を製品化しました。
18
'23
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車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について
当社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」と「XPJ1R004PB」を発売しました。
10
'23
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低電力損失とシステム単純化・小型軽量化を実現する2200 V SiC MOSFETを開発
当社は、太陽光発電(PV)向けに2200 V SiC(炭化ケイ素)MOSFETを開発しました。このデバイスを搭載した2レベルSiCインバーターでは、従来の3レベルSi(シリコン)IGBTインバーターと比べて、高周波駆動かつ低消費電力を実現できました。
18
'23
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産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について
第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。
03
'23
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