Toshiba News

東芝は、米国で50年以上の経験を持ち、多様な産業にソリューションを提供しています。デジタル技術を活用し、社会の課題に取り組み、持続可能な未来を確保します。エネルギーインフラストラクチャデバイスにおける同社の革新的な進歩は、新たな時代の幕開けを告げるものです。東芝は、IoTソリューション半導体電力システムリテールソリューションなど、幅広い製品とサービスを提供しています。デジタルトランスフォーメーションサステナビリティイノベーションに重点を置き、東芝は世界中の顧客と連携し、技術革新を通じてより良い世界を創造しています。

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「ITmedia Virtual EXPO 2020 秋」への出展について

当社は、本日から9月30日までオンラインで開催される「ITmedia Virtual EXPO 2020 秋」に出展し、当社特設サイトを開設します。 開催期間中いつでも、どこでも参加できるバーチャル展示会にて、「すべての力をお客様の開発のために」をコンセプトに、ディスクリート製品からモータードライバーIC、マイコンまで当社製品を幅広くご紹介します。なお、「ITmedia Virtual Expo 2020 秋」におけるマウザーエレクトロニクス社のブースにも協賛出展します。なお、「ITmedia Virtual Expo 2020 秋」におけるマウザーエレクトロニクス社のブースにも協賛出展します。

機器の信頼性向上に貢献する電源ラインのサージ保護用ツェナーダイオード : CEZシリーズ、CUZシリーズ、MUZシリーズ、MSZシリーズ

当社は、開閉サージ、誘電雷サージ[注1]や静電気放電 (ESD)[注2]から半導体デバイスを保護するツェナーダイオード「CEZシリーズ」「CUZシリーズ」「MUZシリーズ」「MSZシリーズ」24品種を順次量産開始します。

画像認識プロセッサー「Visconti4」が中国APG社のADASソリューションに採用

当社の画像認識プロセッサー「Visconti4(TMPV7608XBG)」が、中国の自動車部品メーカーである浙江亜太機電股份有限公司(Zhejiang Asia-Pacific Mechanical & Electronic Co. Ltd.、略称:APG社) のADAS注1ソリューションに採用されました。Visconti.

SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発

当社は、SiC MOSFET注1の信頼性を向上させるデバイス構造を開発しました。本技術は、MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード注2(SBD)を搭載した構造を特徴としており、オン抵抗の上昇を抑えながら、当社従来技術に比較してMOSFETの信頼性を10倍以上向上させることが可能です注3。

電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TPH2R408QM、TPH4R008QM、TPN8R408QM、TPN12008QM

当社は、産業機器のスイッチング電源に適した新世代80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅩ-Hシリーズ」へ4品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプパッケージで、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)[注1]採用の「TPH2R408QM、TPH4R008QM」、TSON Advance採用の「TPN8R408QM、TPN12008QM」です。

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