Toshiba News

東芝は、米国で50年以上の経験を持ち、多様な産業にソリューションを提供しています。デジタル技術を活用し、社会の課題に取り組み、持続可能な未来を確保します。エネルギーインフラストラクチャデバイスにおける同社の革新的な進歩は、新たな時代の幕開けを告げるものです。東芝は、IoTソリューション半導体電力システムリテールソリューションなど、幅広い製品とサービスを提供しています。デジタルトランスフォーメーションサステナビリティイノベーションに重点を置き、東芝は世界中の顧客と連携し、技術革新を通じてより良い世界を創造しています。

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高信頼性と小型化を実現したSiCモジュール向けパッケージ技術を開発

当社は、高信頼性と小型化を実現したシリコンカーバイド(SiC)モジュール向けパッケージ技術を開発しました。今回開発した技術により、当社従来技術に比較してパッケージ面積を約20%削減注1し、製品の信頼性を約2倍注2とすることに成功しました。

バッテリー駆動機器の長時間動作に貢献する小型·低オン抵抗のドレインコモンMOSFETのラインアップ拡充 : SSM10N954L

当社は、モバイル機器などのリチウムイオン (Li-ion) 電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、ドレインコモン接続12 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM10N954L」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

機器の小型化に貢献する車載バイポーラートランジスター : TTA500、TTA501、TTA502、TTC500、TTC501

当社は、車載バックライトなどのLED駆動回路やMOSFETのゲート駆動回路向けに小型・高コレクター許容損失SOT-23F[注1]パッケージの車載バイポーラートランジスター「TTA500、TTA501、TTA502、TTC500、TTC501」5品種を製品化しました。コレクター・エミッター間電圧定格はー50 V~50 V、コレクター電流定格はー2.5 A~2.5 Aのラインアップです。

電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

当社は、産業機器のスイッチング電源に適した新世代80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅩ-Hシリーズ」へ10品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。パッケージは3種類で、リード挿入タイプTO-220採用の「TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM」、絶縁型リード挿入タイプ TO-220SIS採用の「TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、TK6R8A08QM」、表面実装タイプDPAK採用の「TK5R1P08QM、TK6R9P08QM」です。

大電流機器の高効率化に貢献するTOLLパッケージに搭載した650V耐圧スーパージャンクションパワーMOSFET発売について

当社は、TOLLパッケージに搭載した650V耐圧スーパージャンクションパワーMOSFET DTMOSVI(ディーティーモスシックス)シリーズ「TK065U65Z」「TK090U65Z」「TK110U65Z」「TK155U65Z」「TK190U65Z」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

機器の小型化と電源ラインの出力安定化に貢献する小型・低背LDOレギュレーター発売について

当社は、業界トップ[注1]の高リップル圧縮度[注2]によりウエアラブル端末などに安定電圧を供給する小型・低背WCSP4FパッケージのLDOレギュレーター「TCR5RGシリーズ」45品種を発売しました。本日から出荷を開始します。

CMR方式で容量18TBを実現したニアラインHDDのサンプル出荷開始について

当社は、サーバーやストレージシステム、データセンターなどで使用される大容量の3.5型ニアラインHDDとして、当社で初めてのFC-MAMR(Flux Control-Microwave Assisted Magnetic Recording: 磁束制御型マイクロ波アシスト磁気記録方式)を採用し、CMR(従来型磁気記録)方式で業界最大容量18TB[1] [2]を達成した、ヘリウム充填HDD「MG09シリーズ」を開発しました。サンプル出荷は3月末から順次開始する予定です。

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